55IXFN26N100P
SŁAWMIR Electronics
- Kod:
- 3832911
- Producent:
- IXYS
- Obudowa:
- SOT-227B
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.19% (02.12.2025)
- Poprzednia cena:
- 311.55
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 23A; SOT227B; Ugs: ±40V; Idm: 65A
* Producent:IXYS * Czas gotowości:300ns * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:1kV * Montaż mechaniczny:przykręcany * Prąd drenu:23A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Napięcie bramka-źródło:±40V * Rezystancja w stanie przewodzenia:390m? * Technologia:HiPerFET™ * Moc rozpraszana:595W * Ładunek bramki:197nC * Prąd drenu w impulsie:65A * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics