elecena.pl

55IXFN120N65X2

SŁAWMIR Electronics

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 108A; SOT227B; Ugs: ±40V; 890W

* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Rezystancja w stanie przewodzenia:24m? * Montaż mechaniczny:przykręcany * Prąd drenu:108A * Napięcie dren-źródło:650V * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Napięcie bramka-źródło:±40V * Ładunek bramki:240nC * Technologia:HiPerFET™ * Czas gotowości:220ns * Prąd drenu w impulsie:240A * Moc rozpraszana:890W * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:aac202202

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu