55IXFN210N30P3

Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 192A; SOT227B; Ugs: ±30V; 1500W

* Producent:IXYS * Czas gotowości:250ns * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:300V * Montaż mechaniczny:przykręcany * Rezystancja w stanie przewodzenia:14,5m? * Prąd drenu:192A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Technologia:HiPerFET™ * Ładunek bramki:268nC * Moc rozpraszana:1500W * Prąd drenu w impulsie:550A * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106 * Moc rozpraszana:1,5kW