55EM6M2T2R

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 20V; 200mA; Idm: 0,4A; 150mW

* Producent:ROHM SEMICONDUCTOR * Montaż:SMD * Obudowa:SOT563 * Napięcie dren-źródło:20V * Napięcie bramka-źródło:±8V * Prąd drenu:200mA * Rezystancja w stanie przewodzenia:4,8? * Typ tranzystora:N/P-MOSFET * Moc rozpraszana:150mW * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Rodzaj kanału:wzbogacany * Prąd drenu w impulsie:0,4A * Cena jednostkowa:Nie * Prąd drenu:0,2A * Moc rozpraszana:0,15W * Napięcie dren-źródło:20/-20V * Rezystancja w stanie przewodzenia:1/1,2? * Napięcie bramka-źródło:±8/±10V * Prąd drenu:0,2/-0,2A * Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate * Rodzaj tranzystora:para komplementarna