55IXFN36N100

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; Ugs: ±30V; 694W

* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:1kV * Montaż mechaniczny:przykręcany * Rezystancja w stanie przewodzenia:240m? * Prąd drenu:36A * Ładunek bramki:380nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Technologia:HiPerFET™ * Moc rozpraszana:694W * Czas gotowości:180ns * Prąd drenu w impulsie:144A * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106 * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,24?