55IXFN360N10T
SŁAWMIR Electronics
- Kod:
- 3865618
- Producent:
- IXYS
- Obudowa:
- SOT-227B
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.2% (02.12.2025)
- Poprzednia cena:
- 188.56
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; Ugs: ±30V; 830W
* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:100V * Montaż mechaniczny:przykręcany * Rezystancja w stanie przewodzenia:2,6m? * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Technologia:HiPerFET™ * Czas gotowości:130ns * Prąd drenu:360A * Prąd drenu w impulsie:900A * Moc rozpraszana:830W * Ładunek bramki:525nC
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics