55IXFN60N80P

SŁAWMIR Electronics

RSS 286.06 232.57 + VAT

Kod:: 3866487
Producent:: IXYS
Obudowa:: SOT-227B
Dodany do bazy:: 28.01.2025
Ostatnio widziany:: 07.12.2025
Zmiana ceny:: +0.19% (02.12.2025)
Poprzednia cena:: 285.53

Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; Ugs: ±30V; 1040W

* Producent:IXYS * Czas gotowości:250ns * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:800V * Rezystancja w stanie przewodzenia:140m? * Montaż mechaniczny:przykręcany * Prąd drenu:53A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Technologia:HiPerFET™ * Ładunek bramki:250nC * Moc rozpraszana:1040W * Prąd drenu w impulsie:150A * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,14? * Moc rozpraszana:1,04kW * Technologia:Polar™

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics