IRF540N tranzystor unipolarny N-MOSFET THT obudowa TO-220

IRF540N to popularny tranzystor MOSFET z kanałem typu N, zaprojektowany do pracy w układach wysokoprądowych i wysokiego napięcia. Dzięki maksymalnemu prądowi drenu na poziomie 33 A oraz napięciu przebicia 100 V, świetnie sprawdza się w zastosowaniach takich jak sterowanie silnikami, przetwornice DC-DC, układy zasilania czy sterowanie obciążeniem w urządzeniach elektronicznych. Obudowa TO-220 zapewnia dobrą zdolność odprowadzania ciepła, co zwiększa trwałość i wydajność tranzystora.

Przykłady zastosowania:

* Sterowanie silnikami i pompami * Budowa przetwornic DC-DC * Kluczowanie obwodów w urządzeniach IoT * Regulacja jasności oświetlenia LED * Układy sterujące w systemach automatyki

Specyfikacja:

* Typ tranzystora: MOSFET, N-kanałowy * Maksymalny prąd drenu: 33 A * Maksymalne napięcie drenu-źródła (Vds): 100 V * Rezystancja w stanie włączenia (Rds(on)): 0,044 Ω * Napięcie progowe bramki (Vgs(th)): 2–4 V * Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): ±20 V * Dopuszczalna moc strat: 150 W * Obudowa: TO-220 * Temperatura pracy: -55°C do 175°C