elecena.pl

ASPI8040LR100MT-0

TME

ASPI8040LR100MT-0

Przejdź do sklepu »

MPN:: ASPI-8040LR-100M-T
Kod:: ASPI8040LR100MT-0
Minimalne zamówienie:: 112 szt.
Producent:: ABRACON
Dodany do bazy:: 28.05.2025
Ostatnio widziany:: 03.03.2026

Ilość [ x szt]:	1200+	2300+	4000+
Cena PLN [za szt]:	3.16	3.09	3.03

110 mΩ / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode IGI60L1111B1M combines a half-bridge power stage consisting of two CoolGaN™ Transistors 600 V / 110 mΩ (RDS(on) typ.) with an integrated level-shift gate driver and a bootstrap diode in a small 6x8 mm TFLGA-27 package.

Sugerowane produkty dla 6x8

Dławik: drutowy; SMD; 10uH; Ipracy: 5,4A; ±20%; 8,6x8,2mm; Isat: 6,4A

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu TME