elecena.pl

40 V, 1.2 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN)

Nexperia

RSS Sample
  • Darmowa próbka
MPN:
GANB1R2-040QBA
Producent:
Nexperia
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:

The GANB1R2-040QBA is a 40 V, 1.2 mΩ bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistor (HEMT) in a Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN) package. It is a normally-off e-mode device offering superior performance and very low on-state resistance.

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu