40 V, 4.8 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.1 mm x 2.1 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
Nexperia
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- GANB4R8-040CBA
- Producent:
- Nexperia
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla ganb4r8
The GANB4R8-040CBA is a 40 V, 4.8 mΩ bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistor (HEMT) in a Wafer Level Chip-Scale (WLCSP) package. It is a normally-off e-mode device offering superior performance.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu Nexperia