650V 30mΩ SuperGaN FET in TO-247
Intersil
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- TP65H030G4PWS
- Producent:
- Renesas Electronics
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla tp65h030g4pws
The TP65H030G4PWS, 650V, 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package is a normally-off device using Renesas' Gen IV plus SuperGaN® platform. It combines a high-voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with an optimized low voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and enhanced reliability.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu Intersil