TRANZYSTOR IRF840 N-MOSFET 8A 500V 125W TO220
AET
Tranzystor MOSFET z kanałem typu N
Maksymalny prąd drenu (napięcie bramka-źródło 10V, temperatura obudowy 25°C): 8A
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V
Maksymalna moc rozpraszana (temperatura obudowy 25°C): 125W
Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 4.8A): 0.85Ohm
Typ obudowy: TO-220AB
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu AET