TRANZYSTOR IRFD210 N-MOSFET 0,6A 200V DIP4
AET
RSS
3.47
2.82 + VAT
- Kod:
- T006-0685-003-04
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla irfd210
Tranzystor N-MOSFET
Maksymalny prąd drenu (temperatura obudowy 25°C): 0.6A
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 0.36A): 1.5Ohm
Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V
Typ obudowy: DIP-4
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu AET