TRANZYSTOR IRFPF50 N-MOSFET 6,7A 900V TO247 RoHS

AET

Tranzystor N-MOSFET

Maksymalny prąd drenu (temperatura obudowy 25°C, napięcie bramka-źródło 10V): 6.7A

Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V

Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V

Napięcie progowe bramka-źródło: 2V - 4V

Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 4A): 1.6Ohm

Typ obudowy: TO-247AC

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu AET