TRANZYSTOR IRFPG50 N-MOSFET 6A 1000V TO247

AET

Tranzystor N-MOSFET

Maksymalny ciągły prąd drenu (napięcie bramka-źródło 10V, temperatura otoczenia 25°C): 6.1A

Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V

Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V

Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V): 2 Ohm

Napięcie progowe bramka-źródło: 2V - 4V

Zakres temperatury roboczej: -55°C do +150°C

Typ obudowy: TO-247AC

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu AET