STGP30M65DF2 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STMicroelectronics
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGP30M65DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-220
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -7% (31.10.2025)
- Poprzednia cena:
- 3.34 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 1.29 | 1.23 | 1.12 |
Sugerowane produkty dla stgp30m65df2
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics