MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,1 A; 4,6 A WDFN 20 V SMD Izolacja 2,3 W 120 mΩ, 200 mΩ

MPN:

NTLJD3119CTBG

Kod:

1216306

Minimalne zamówienie:

3 000 szt.

Producent:

onsemi

Obudowa:

WDFN6

Dodany do bazy:

13.06.2016

Ostatnio widziany:

29.09.2025

Zmiana ceny:

+6% (14.09.2025)

Poprzednia cena:

1.56

Sugerowane produkty dla ntjd1155l

• Dual P-Channel High Side Load Switch with Level-Shift Power MOSFET -8V ±1.3A 175mΩ sample
• MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 1,3 A SOT-363 8 V SMD Wyłącznik obciążenia N+P 400 mW 320 miliomów 1.34
• MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 250 mA, 880 mA SOT-363 20 V, 30 V SMD Izolacja 270 mW 2,5 Ω, 500 mΩ 1.18
• MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,1 A; 4,6 A WDFN 20 V SMD Izolacja 2.3 W 120 miliomów; 200 miliomów 4.04
• MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,5 A; 7 A ECH 30 V SMD Izolacja 1,3 W 24 miliomy, 39 miliomów 4.60