si1411dh-t1-e3 (15) » Parametry i zamienniki | elecena.pl - wyszukiwarka elementów elektronicznych

elecena.pl

Szukaj produktów » Parametry dla si1411dh-t1-e3 (tranzystor FET-P): 1.62

Napięcie:	150V
Prąd:	0.42A
Więcej:	http://pl.farnell.com/vishay/si1411dh-t1-e3/mosfet-p-ch-150v-0-42a-sot-363/dp/2335278

Zamienniki dla si1411dh-t1-e3:

4.33
Zamienniki »
si2325ds-t1-e3

Napięcie:
150V

Prąd:
0.43A

Moc:
0.48W

Podobieństwo:
98%
6.65
Zamienniki »
si2325ds-t1-ge3

Napięcie:
150V

Prąd:
0.43A

Moc:
0.48W

Podobieństwo:
98%
2.38
Zamienniki »
si1411dh-t1-ge3

Napięcie:
150V

Prąd:
0.38A

Moc:
0.81W

Podobieństwo:
90%
3.68
Zamienniki »
irfd9210

Napięcie:
200V

Prąd:
0.4A

Podobieństwo:
63%
3.00
Zamienniki »
fqd8p10

Napięcie:
100V

Rezystancja przewodzenia:
530Ω

Napięcie załączenia:
2V

Obudowa:
TO-252

Podobieństwo:
60%
3.49
Zamienniki »
fqd7p20

Napięcie:
200V

Rezystancja przewodzenia:
690Ω

Napięcie załączenia:
3V

Obudowa:
TO-252

Podobieństwo:
60%
7.27
Zamienniki »
fqb12p20

Napięcie:
200V

Rezystancja przewodzenia:
470Ω

Napięcie załączenia:
3V

Obudowa:
TO-263

Podobieństwo:
60%
7.83
Zamienniki »
fqb34p10

Napięcie:
100V

Rezystancja przewodzenia:
60Ω

Napięcie załączenia:
2V

Obudowa:
TO-263

Podobieństwo:
60%
1.46
Zamienniki »
fqt5p10

Napięcie:
100V

Rezystancja przewodzenia:
1050Ω

Napięcie załączenia:
2V

Obudowa:
SOT-223

Podobieństwo:
60%
5.15
Zamienniki »
fqb22p10

Napięcie:
100V

Rezystancja przewodzenia:
125Ω

Napięcie załączenia:
2V

Obudowa:
TO-263

Podobieństwo:
60%
3.73
Zamienniki »
zxmc10a816n8tc

Napięcie:
100V

Podobieństwo:
60%
13.92
Zamienniki »
irfd9220pbf

Napięcie:
200V

Prąd:
0.36A

Moc:
1W

Obudowa:
DIP4

Podobieństwo:
57%
7.83
Zamienniki »
tp2510n8-g

Napięcie:
100V

Prąd:
0.48A

Moc:
1.6W

Podobieństwo:
57%
1.67
Zamienniki »
bsr316p l6327

Napięcie:
100V

Prąd:
0.36A

Obudowa:
TO-236-3

Podobieństwo:
57%
3.80
Zamienniki »
irfd9110pbf

Napięcie:
100V

Prąd:
0.49A

Moc:
1.3W

Obudowa:
DIP4

Podobieństwo:
56%