elecena.pl

Szukaj produktów » Parametry dla si3410dv-t1-ge3 (tranzystor FET-N): 2.73
Napięcie:30V
Prąd:8A
Moc:4.1W
Więcej:http://pl.farnell.com/vishay/si3410dv-t1-ge3/mosfet-n-ch-30v-8a-tsop-6/dp/2454803

Zamienniki dla si3410dv-t1-ge3:

  1. 7.08
    Zamienniki »

    si4922bdy

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    90%
  2. 4.84
    Zamienniki »

    si4830cdy

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    90%
  3. 7.95
    Zamienniki »

    si4922bdy-t1-e3

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8A
    Podobieństwo:
    90%
  4. 3.37
    Zamienniki »

    si4804cdy

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    90%
  5. 6.96
    Zamienniki »

    si4618dy

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    90%
  6. 5.45
    Zamienniki »

    si4914bdy

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8.4A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    85%
  7. 3.83
    Zamienniki »

    bso150n03

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    7.6A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    85%
  8. 2.00
    Zamienniki »

    dmg4800lsd

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    7.5A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    84%
  9. 2.74
    Zamienniki »

    si4214ddy

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8.5A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    84%
  10. 2.75
    Zamienniki »

    si4214ddy-t1-ge3

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    8.5A
    Podobieństwo:
    84%
  11. 4.00
    Zamienniki »

    irf7389

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    7.3A
    Podobieństwo:
    81%
  12. 5.42
    Zamienniki »

    si4830cdy-t1-ge3

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    7.1A
    Podobieństwo:
    79%
  13. 6.05
    Zamienniki »

    apm4542

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    7A
    Podobieństwo:
    78%
  14. 3.35
    Zamienniki »

    si4800bdy-t1-e3

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    9A
    Podobieństwo:
    78%
  15. 3.48
    Zamienniki »

    si4936bdy

    Napięcie:
    30V
    Prąd:
    6.9A
    Obudowa:
    8-SOIC
    Podobieństwo:
    76%