BXDP-82 dioda ładunkowa PIN mikrofalowa odpowiednik Cemi

Parametry:

* Krytyczna częstotliwość przełączania diody: nie mniej niż 100 GHz;

* - Ciągłe rozpraszanie mocy: 0,5W;

* - Stały prąd przewodzenia: nie więcej niż 100 mA;

* - Stałe napięcie wsteczne: nie więcej niż 75 V;

* - Napięcie przebicia: 100 V;

* - Skumulowany ładunek diody: nie więcej niż 15 nC;

* - Bezpośrednia odporność na straty: nie więcej niż 2,5 Ohm;

* - Całkowita pojemność diody: nie więcej niż 0,7 pF;

* - Temperatura otoczenia: -60- + 125 ° С;

* - Minimalny czas pracy: 25000 h;