IGBT with trench construction, fast recovery diode
Nexperia
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- NGW75T65H3DF
- Producent:
- Nexperia
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla ngw75t65h3df
The NGW75T65H3DF is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65H3DF is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses. This hard-switching 650 V, 75 A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu Nexperia