fdn86501lz (15) » N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mΩ » Parametry i zamienniki | elecena.pl

Szukaj produktów » Parametry dla fdn86501lz (tranzystor FET-N): 4.57

Opis:	N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mΩ
Napięcie:	60V
Rezystancja przewodzenia:	116Ω
Napięcie załączenia:	1V
Obudowa:	SSOT
Więcej:	https://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDN86501LZ.html

Zamienniki dla fdn86501lz:

7.48
Zamienniki »
rfd3055lesm

Napięcie:
60V

Rezystancja przewodzenia:
107Ω

Napięcie załączenia:
1V

Obudowa:
TO-252

Podobieństwo:
92%
5.32
Zamienniki »
stp55nf06

Napięcie:
60V

Prąd:
35A

Moc:
110W

Obudowa:
TO-220-3

Podobieństwo:
80%
2.00
Zamienniki »
irll014

Napięcie:
60V

Prąd:
2.7A

Podobieństwo:
80%
5.01
Zamienniki »
stp60nf06

Napięcie:
60V

Prąd:
42A

Moc:
110W

Podobieństwo:
80%
1.44
Zamienniki »
bs170

Napięcie:
60V

Prąd:
0.3A

Moc:
0.8W

Obudowa:
TO-92

Podobieństwo:
80%
3.40
Zamienniki »
irfz34

Napięcie:
60V

Prąd:
30A

Obudowa:
TO-220

Podobieństwo:
80%
1.00
Zamienniki »
2n7000

Napięcie:
60V

Prąd:
0.2A

Obudowa:
TO-92

Podobieństwo:
80%
5.42
Zamienniki »
irf1010

Napięcie:
60V

Prąd:
84A

Moc:
170W

Obudowa:
TO-220

Podobieństwo:
80%
0.49
Zamienniki »
2n7002

Napięcie:
60V

Prąd:
0.115A

Moc:
0.2W

Podobieństwo:
80%
Zamienniki »
fqt13n06l

Napięcie:
60V

Rezystancja przewodzenia:
140Ω

Napięcie załączenia:
1V

Obudowa:
SOT-223

Podobieństwo:
79%
12.53
Zamienniki »
huf76407d3s

Napięcie:
60V

Rezystancja przewodzenia:
92Ω

Napięcie załączenia:
1V

Obudowa:
TO-252

Podobieństwo:
79%
Zamienniki »
bts432e2

Napięcie:
63V

Prąd:
11A

Podobieństwo:
76%
7.49
Zamienniki »
fqd13n06l

Napięcie:
60V

Rezystancja przewodzenia:
145Ω

Napięcie załączenia:
1V

Obudowa:
TO-252

Podobieństwo:
75%
4.72
Zamienniki »
irfz44

Napięcie:
55V

Prąd:
53A

Moc:
150W

Obudowa:
TO-220

Podobieństwo:
73%
4.23
Zamienniki »
irfz44n

Napięcie:
55V

Prąd:
41A

Moc:
83W

Obudowa:
TO-220AB

Podobieństwo:
73%